型号:STB155N3H6 | 类别:FET - 单 | 制造商:STMicroelectronics |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
系列 | STripFET™ DeepGATE™ |
制造商 | STMicroelectronics |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 80A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 3 毫欧 @ 40A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 80nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 3700pF @ 25V |
功率_最大 | 70W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D²PAK |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
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IC REG DL BUCK/LINEAR SYNC 10DFN
- SR151A681KAR
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径向
CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
- MT18JSF51272AZ-1G4D1
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240-UDIMM
MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240UDIMM
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10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
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- SR151A820FAA
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 82PF 100V 1% RADIAL
- MT18JSF51272PKZ-1G4D1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
244-MiniRDIMM
MODULE DDR3 SDRAM 4GB 244MRDIMM
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TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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- STW4102IQT
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24-QFN
IC LI-ION BATT CHRGR DUAL 24QFN
- SR151A820JAATR1
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 82PF 100V 5% RADIAL
- TC1303C-ZS0EMFTR
PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式
Microchip Technology
10-VFDFN 裸露焊盘
IC REG DL BUCK/LINEAR SYNC 10DFN
- MT18KSF51272PZ-1G4M1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
240-RDIMM
MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240RDIMM
- STB160N75F3
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TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
IC REG DL BCK/LINEAR SYNC 10MSOP
- SR151A820JAR
陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 82PF 100V 5% RADIAL
- MT18LSDT3272AG-13EG1
存储器 - 模块
Micron Technology Inc
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